問
怎樣做好機房電磁屏蔽，選擇屏蔽材料要注意什么問題？
答
很多企業(yè)在選擇屏蔽機房的屏蔽材料時候，常常無所適從，因為也不了解，不知道選什么好，導致花了很多冤枉錢卻沒有買到屏蔽效能好的材料，屏蔽材料往往決定著一個屏蔽機房的優(yōu)劣，本文解析怎樣做好機房電磁屏蔽，在選擇決定使用什么屏蔽材料時，要注意什么問題？
電磁屏蔽是利用導電材料或鐵磁材料制成的部件對大容量汽輪發(fā)電機定子鐵心端部進行屏蔽，以降低由定子繞組端部漏磁在結構件中引起的附加損耗與局部發(fā)熱的措施，用屏蔽體將元部件、電路、組合件、電纜或整個系統(tǒng)的干擾源包圍起來，防止干擾電磁場向外擴散，用屏蔽體將接收電路、設備或系統(tǒng)包圍起來，防止它們受到外界電磁場的影響。
常選擇有較高的電導率和磁導率的導體作為屏蔽物的材料，因為高導電性材料在電磁波的作用下將產(chǎn)生較大的感應電流。這些電流按照楞次定律將削弱電磁波的透入，采用的金屬網(wǎng)孔愈密，直到采用整體的金屬殼，屏蔽的效果愈好，但所費材料愈多，高導磁性的材料可以引導磁力線較多地通過這些材料，而減少被屏蔽區(qū)域中的磁力線，屏蔽物通常是接地的，以免積累電荷的影響。
電磁波向大塊金屬透入時將不斷衰減，直到衰減為零。衰減的程度隨著材料的電導率、磁導率及電磁波頻率的增加而加大。屏蔽的要求較高時往往采用多層屏蔽。例如有時采用鑄鐵、坡莫合金、電解銅3種材料制成多層屏蔽，以滿足導電、導磁等要求。
但是實現(xiàn)完全的屏蔽是很難辦到的，因為被屏蔽的區(qū)域與其余區(qū)域之間往往仍需要有電路的連接，引線與引線、引線與外殼之間總存在著絕緣間隙，仍然為電磁波提供通道。即使對于完全封閉的金屬殼，在頻率極低的外部電磁場作用下，理論上內部的磁通密度并不為零。
電磁場在導電介質中傳播時，其場量（E和H）的振幅隨距離的增加而按指數(shù)規(guī)律衰減。從能量的觀點看，電磁波在導電介質中傳播時有能量損耗，因此，表現(xiàn)為場量振幅的減小。導體表面的場量最大，愈深入導體內部，場量愈小。這種現(xiàn)象也稱為趨膚效應。利用趨膚效應可以阻止高頻電磁波透入良導體而作成電磁屏蔽裝置。它比靜電、靜磁屏蔽更具有普遍意義。
選擇屏蔽材料時要注意下面幾個問題
（1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實際的金屬材料不可能兼顧這兩個方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差;鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據(jù)具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側重導電性還是導磁性；
（2）頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；
（3）反射損耗與輻射源的特性有關，對于電場輻射源，反射損耗很大，對于磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。
（4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關，對于電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大，對于磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越小，正確判斷輻射源的性質，決定它應該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結構設計的一個重要內容。
（5）頻率較高時，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時與輻射源是電場輻射源還是磁場輻射源關系不大。
（6）電場波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場波是最難屏蔽的，尤其是(1KHz以下)低頻磁場，很難屏蔽，對于低頻磁場，要采用高導磁性材料，甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。
電磁屏蔽計算公式為:
R=20lg(ZW/ZS)(dB)電磁屏蔽
SE=100-20lgL-20lgf+20lg[1+2.3lg(L/H)](dB)
一般除了低頻磁場外，大部分金屬材料可以提供1電磁屏蔽00dB以上的屏蔽效能，但在實際中，常見的情況是金屬做成的屏蔽體，并沒有這么高的屏蔽效能，甚至幾乎沒有屏蔽效能，這是因為許多設計人員沒有了解電磁屏蔽的關鍵。
（1）同一種屏蔽材料，對于不同的電磁波，屏蔽效能使不同的，對電場波的屏蔽效能最高，對磁場波的屏蔽效能最低，也就是說，電場波最容易屏蔽，磁場波最難屏蔽。
（2）屏蔽電場波時，使用導電性好的材料，屏蔽磁場波時，使用導磁性好的材料。
在保護的空間內，當采用屏蔽電纜時其屏蔽層應至少兩端并在防雷區(qū)交界處做等電位連接，當系統(tǒng)要求只在一端做等電位連接時，應采用雙層屏蔽，引入到遠動機房的非屏蔽線纜應敷設在金屬管道內，實現(xiàn)導電貫通，并連接到共用接地體上，所選用的金屬管道最好采用鐵管。
若L≥λ/2,SE=0(dB)
1、機房電磁電磁屏蔽的產(chǎn)生與危害
SE=48+20lgZC-20lgL·f+20lg[1+2.3lg(L/H)]
電磁屏蔽是解決電磁兼容問題的重電磁屏蔽要手段之一，大部分電磁兼容問題都可以通過電磁屏蔽來解決，用電磁屏蔽的方法來解決電磁干擾問題的最大好處是不會影響電路的正常工作，因此不需要對電路做任何修改。
式中，Zw=電磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
在機房的四周(靜電地板下面)用3X35的紫銅帶繞機房四周一圈,并且與接地線緊固連接。
式中:Zc=輻射源電路的阻電磁屏蔽屬網(wǎng)格做為屏蔽層,用金屬網(wǎng)格罩住窗戶。
（3）一般情況下，材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高;
根據(jù)機房實際情況設計了微孔防塵屏蔽天花板,并采用配套的輕鋼龍骨.設計具有質輕、防火、防潮、吸音、防塵等性能,不但可以很好屏蔽電磁的干擾,而且可以配合防眩光燈盤不會產(chǎn)生眩光。
等電位連接與地網(wǎng)電磁屏蔽電磁干擾的綠色安全空間：SE=20lg(E1/E2)(dB)
布設機房等電位匯流排與地網(wǎng)式中各量：L=縫隙的長度(mm)，H=縫隙的寬電磁屏蔽度(mm)，f=入射電磁波的頻率(MHz)。
怎樣做好機房電磁屏蔽
想做好一個優(yōu)質的機房電磁屏蔽不是那么簡單是，需要精確的計算，根據(jù)計算得出的結果去實施，在工程中實用的表征材料屏蔽效能的公式為:SE=A+R(dB)，用這個定義式只電磁屏蔽能測試屏蔽材料的屏蔽效能，而無法確定應該使用什么材料做屏蔽體，要確定使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數(shù)有關。
（1）線路屏蔽
對于一個厚度為0材料上的孔洞，在遠場區(qū)中，最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能(實際情況下屏蔽效能可能會更大一些)計算公式為：
（2）天花板墻面的屏蔽處理
計算機在使用過程中能在元器件表面積聚大量的靜電電荷.最典型的就是顯示器在使用過后用手去觸摸顯示屏幕就會發(fā)生劇烈的靜電放電現(xiàn)象，這就是顯示器屏幕上的電荷與我們人體上所帶異號電荷發(fā)生中和時所產(chǎn)生的靜電放電現(xiàn)象，至于靜電放電的定義，這里就不再敘述,有興趣的讀者可以自行查閱資料，由于靜電放電過程是電位、電流隨機瞬間變化的電磁輻射，所以，不管是放電能量較小的電暈放電,還是放電能量較大的火花式放電，都可以產(chǎn)生電磁輻射.而我們在前面已經(jīng)提到計算機本身包含有大量的高電磁靈敏度的電路以及元器件，所以，在使用過程中如果遇到靜電放電現(xiàn)象(ESP)，出現(xiàn)的后果是不可預測的。
靜電放電現(xiàn)象對計算機的危害可分為硬性損傷和軟性損傷，硬性損傷就是指由于ESP過于強烈而導致的如顯卡、CPU、內存等電磁靈敏度很高的元器件被擊穿，從而無法正常工作甚至徹底電磁屏蔽報廢，靜電放電所造成的硬性損傷的破壞程度主要取決于靜電放電的能量及元器件的靜電敏感度，也和危害源與敏感器件之間的能量耦合方式，相互位置有關，軟性損傷則是指由于靜電放電時產(chǎn)生的電磁干擾(其電磁脈沖頻譜可達Mhz~Ghz)造成的存儲器內部存儲錯誤、比特數(shù)位移位，從而產(chǎn)生如死機、非法操作、文件丟失、硬盤壞道產(chǎn)生等隱性錯誤，相對于硬性損傷,它更難被發(fā)現(xiàn)。
其次，機箱上總是會有電纜穿電磁屏蔽出(入)，至少會有一條電源電纜，這些電纜會極大地危害屏蔽體，使屏蔽體的屏蔽效能降低數(shù)十分貝，妥善處理這些電纜是屏蔽設計中的重要內容之一(穿過屏蔽體的導體的危害有時比孔縫的危害更大)。
SE=20lg[(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H)]
屏蔽電場波時，屏蔽體盡量靠近輻電磁屏蔽射源，屏蔽磁場源時，屏蔽體盡量遠離磁場源。
電磁波的波阻抗定義為電場分量與磁場分量的比值：Zw=E/H.在距離輻射源較近(<λ/2π,稱為近場區(qū))時,波阻抗的值取決于輻射源的性質、觀測點到源的距離、介質特性等.若輻射源為大電流、低電壓(輻射源電路的阻抗較低),則產(chǎn)生的電磁波的波阻抗小于377,稱為低阻抗波,或磁場波.若輻射源為高電壓,小電流(輻射源電路的阻抗較高),則波阻抗大于377,稱為高阻抗波或電場波.關于近場區(qū)內波阻抗的具體計算公式本文不予論述,以免沖淡主題,感興趣的讀者可以參考有關電磁場方面的參考書.當距離輻射源較遠(>λ/2π,稱為遠場區(qū))時,波波阻抗僅與電場波傳播介質有關,其數(shù)值等于介質的電磁屏蔽特性阻抗,空氣為377Ω。
屏蔽材料的阻抗計算方法為:
從上面幾個公式,就可以計算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了,為了方便設計,下面給出一些定性的結論：timereleaseVitaminC，首先,需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒有關系.這與靜電場的屏蔽不同，在靜電中，只要將屏蔽體接地，就能夠有效地屏蔽靜電場，而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無關，這是必須明確的。
在近場區(qū)設計屏蔽時，要分別考慮電場波和磁場波的情況，式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗,是當電磁波入射到不同媒質的分界面時發(fā)生的，計算公式為:
屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量.屏蔽效能是沒有屏蔽時空間某個位置的場強E1與有屏蔽時該位置的場強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至百萬分之一,因此通常用分貝來表述屏蔽效能,這時屏蔽效能的定義公式為:
電磁屏蔽的關鍵點有兩個，一個是保證屏蔽體的導電連續(xù)性,即整個屏蔽體必須是一個完整的、連續(xù)的導電體.另一點是不能有穿過機箱的導體，對于一個實際的機箱，這兩點實現(xiàn)起來都非常困難。
若ZC>(7.9/D·f)：式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗，是電磁波在屏蔽材料中傳播時發(fā)生的，計算公式為：
有一種情況需要特別注意，這就是1kHz以下的磁場波.這種磁場波一般由大電流輻射源產(chǎn)生，例如，傳輸大電流的電力線，大功率的變壓器等，對于這種頻率很低的磁場，只能采用高導磁率的材料進行屏蔽，常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金。
若Zc<(7.9/D·f):
選擇屏蔽材料公式：
A=3.34t(fμrσr)(dB)
|ZS|=3.68*10-7(fμr/σr)(Ω)
t=材料的厚度，μr=材料的磁導率，σr=材料的電導率，對于特定的材料，這些都是已知的，f=被屏蔽電磁波的頻率。
首先，一個實用的機箱上會有很多孔洞和孔縫：通風口、顯示口、安裝各種調節(jié)桿的開口、不同部分結合的縫隙等.屏蔽設計的主要內容就是如何妥善處理這些孔縫，同時不會影響機箱的其他性能(美觀、可維性、可靠性)。
f=入射電磁波的頻率(Hz)，μr=相對磁導率，σr=相對電導率
孔洞和縫隙的電磁泄漏與對策
當電磁波入射到一個孔洞時，其作用相當于一個偶極天線，當孔洞的長度達到λ/2時，其輻射效率最高(與孔洞的寬度無關)，也就是說，它可以將激勵孔洞的全部能量輻射出去。
答
很多企業(yè)在選擇屏蔽機房的屏蔽材料時候，常常無所適從，因為也不了解，不知道選什么好，導致花了很多冤枉錢卻沒有買到屏蔽效能好的材料，屏蔽材料往往決定著一個屏蔽機房的優(yōu)劣，本文解析怎樣做好機房電磁屏蔽，在選擇決定使用什么屏蔽材料時，要注意什么問題？
電磁屏蔽是利用導電材料或鐵磁材料制成的部件對大容量汽輪發(fā)電機定子鐵心端部進行屏蔽，以降低由定子繞組端部漏磁在結構件中引起的附加損耗與局部發(fā)熱的措施，用屏蔽體將元部件、電路、組合件、電纜或整個系統(tǒng)的干擾源包圍起來，防止干擾電磁場向外擴散，用屏蔽體將接收電路、設備或系統(tǒng)包圍起來，防止它們受到外界電磁場的影響。
常選擇有較高的電導率和磁導率的導體作為屏蔽物的材料，因為高導電性材料在電磁波的作用下將產(chǎn)生較大的感應電流。這些電流按照楞次定律將削弱電磁波的透入，采用的金屬網(wǎng)孔愈密，直到采用整體的金屬殼，屏蔽的效果愈好，但所費材料愈多，高導磁性的材料可以引導磁力線較多地通過這些材料，而減少被屏蔽區(qū)域中的磁力線，屏蔽物通常是接地的，以免積累電荷的影響。
電磁波向大塊金屬透入時將不斷衰減，直到衰減為零。衰減的程度隨著材料的電導率、磁導率及電磁波頻率的增加而加大。屏蔽的要求較高時往往采用多層屏蔽。例如有時采用鑄鐵、坡莫合金、電解銅3種材料制成多層屏蔽，以滿足導電、導磁等要求。
但是實現(xiàn)完全的屏蔽是很難辦到的，因為被屏蔽的區(qū)域與其余區(qū)域之間往往仍需要有電路的連接，引線與引線、引線與外殼之間總存在著絕緣間隙，仍然為電磁波提供通道。即使對于完全封閉的金屬殼，在頻率極低的外部電磁場作用下，理論上內部的磁通密度并不為零。
電磁場在導電介質中傳播時，其場量（E和H）的振幅隨距離的增加而按指數(shù)規(guī)律衰減。從能量的觀點看，電磁波在導電介質中傳播時有能量損耗，因此，表現(xiàn)為場量振幅的減小。導體表面的場量最大，愈深入導體內部，場量愈小。這種現(xiàn)象也稱為趨膚效應。利用趨膚效應可以阻止高頻電磁波透入良導體而作成電磁屏蔽裝置。它比靜電、靜磁屏蔽更具有普遍意義。
選擇屏蔽材料時要注意下面幾個問題
（1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實際的金屬材料不可能兼顧這兩個方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差;鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據(jù)具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側重導電性還是導磁性；
（2）頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；
（3）反射損耗與輻射源的特性有關，對于電場輻射源，反射損耗很大，對于磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。
（4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關，對于電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大，對于磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越小，正確判斷輻射源的性質，決定它應該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結構設計的一個重要內容。
（5）頻率較高時，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時與輻射源是電場輻射源還是磁場輻射源關系不大。
（6）電場波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場波是最難屏蔽的，尤其是(1KHz以下)低頻磁場，很難屏蔽，對于低頻磁場，要采用高導磁性材料，甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。
電磁屏蔽計算公式為:
R=20lg(ZW/ZS)(dB)電磁屏蔽
SE=100-20lgL-20lgf+20lg[1+2.3lg(L/H)](dB)
一般除了低頻磁場外，大部分金屬材料可以提供1電磁屏蔽00dB以上的屏蔽效能，但在實際中，常見的情況是金屬做成的屏蔽體，并沒有這么高的屏蔽效能，甚至幾乎沒有屏蔽效能，這是因為許多設計人員沒有了解電磁屏蔽的關鍵。
（1）同一種屏蔽材料，對于不同的電磁波，屏蔽效能使不同的，對電場波的屏蔽效能最高，對磁場波的屏蔽效能最低，也就是說，電場波最容易屏蔽，磁場波最難屏蔽。
（2）屏蔽電場波時，使用導電性好的材料，屏蔽磁場波時，使用導磁性好的材料。
在保護的空間內，當采用屏蔽電纜時其屏蔽層應至少兩端并在防雷區(qū)交界處做等電位連接，當系統(tǒng)要求只在一端做等電位連接時，應采用雙層屏蔽，引入到遠動機房的非屏蔽線纜應敷設在金屬管道內，實現(xiàn)導電貫通，并連接到共用接地體上，所選用的金屬管道最好采用鐵管。
若L≥λ/2,SE=0(dB)
1、機房電磁電磁屏蔽的產(chǎn)生與危害
SE=48+20lgZC-20lgL·f+20lg[1+2.3lg(L/H)]
電磁屏蔽是解決電磁兼容問題的重電磁屏蔽要手段之一，大部分電磁兼容問題都可以通過電磁屏蔽來解決，用電磁屏蔽的方法來解決電磁干擾問題的最大好處是不會影響電路的正常工作，因此不需要對電路做任何修改。
式中，Zw=電磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
在機房的四周(靜電地板下面)用3X35的紫銅帶繞機房四周一圈,并且與接地線緊固連接。
式中:Zc=輻射源電路的阻電磁屏蔽屬網(wǎng)格做為屏蔽層,用金屬網(wǎng)格罩住窗戶。
（3）一般情況下，材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高;
根據(jù)機房實際情況設計了微孔防塵屏蔽天花板,并采用配套的輕鋼龍骨.設計具有質輕、防火、防潮、吸音、防塵等性能,不但可以很好屏蔽電磁的干擾,而且可以配合防眩光燈盤不會產(chǎn)生眩光。
等電位連接與地網(wǎng)電磁屏蔽電磁干擾的綠色安全空間：SE=20lg(E1/E2)(dB)
布設機房等電位匯流排與地網(wǎng)式中各量：L=縫隙的長度(mm)，H=縫隙的寬電磁屏蔽度(mm)，f=入射電磁波的頻率(MHz)。
怎樣做好機房電磁屏蔽
想做好一個優(yōu)質的機房電磁屏蔽不是那么簡單是，需要精確的計算，根據(jù)計算得出的結果去實施，在工程中實用的表征材料屏蔽效能的公式為:SE=A+R(dB)，用這個定義式只電磁屏蔽能測試屏蔽材料的屏蔽效能，而無法確定應該使用什么材料做屏蔽體，要確定使用什么材料制造屏蔽體，需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數(shù)有關。
（1）線路屏蔽
對于一個厚度為0材料上的孔洞，在遠場區(qū)中，最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能(實際情況下屏蔽效能可能會更大一些)計算公式為：
（2）天花板墻面的屏蔽處理
計算機在使用過程中能在元器件表面積聚大量的靜電電荷.最典型的就是顯示器在使用過后用手去觸摸顯示屏幕就會發(fā)生劇烈的靜電放電現(xiàn)象，這就是顯示器屏幕上的電荷與我們人體上所帶異號電荷發(fā)生中和時所產(chǎn)生的靜電放電現(xiàn)象，至于靜電放電的定義，這里就不再敘述,有興趣的讀者可以自行查閱資料，由于靜電放電過程是電位、電流隨機瞬間變化的電磁輻射，所以，不管是放電能量較小的電暈放電,還是放電能量較大的火花式放電，都可以產(chǎn)生電磁輻射.而我們在前面已經(jīng)提到計算機本身包含有大量的高電磁靈敏度的電路以及元器件，所以，在使用過程中如果遇到靜電放電現(xiàn)象(ESP)，出現(xiàn)的后果是不可預測的。
靜電放電現(xiàn)象對計算機的危害可分為硬性損傷和軟性損傷，硬性損傷就是指由于ESP過于強烈而導致的如顯卡、CPU、內存等電磁靈敏度很高的元器件被擊穿，從而無法正常工作甚至徹底電磁屏蔽報廢，靜電放電所造成的硬性損傷的破壞程度主要取決于靜電放電的能量及元器件的靜電敏感度，也和危害源與敏感器件之間的能量耦合方式，相互位置有關，軟性損傷則是指由于靜電放電時產(chǎn)生的電磁干擾(其電磁脈沖頻譜可達Mhz~Ghz)造成的存儲器內部存儲錯誤、比特數(shù)位移位，從而產(chǎn)生如死機、非法操作、文件丟失、硬盤壞道產(chǎn)生等隱性錯誤，相對于硬性損傷,它更難被發(fā)現(xiàn)。
其次，機箱上總是會有電纜穿電磁屏蔽出(入)，至少會有一條電源電纜，這些電纜會極大地危害屏蔽體，使屏蔽體的屏蔽效能降低數(shù)十分貝，妥善處理這些電纜是屏蔽設計中的重要內容之一(穿過屏蔽體的導體的危害有時比孔縫的危害更大)。
SE=20lg[(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H)]
屏蔽電場波時，屏蔽體盡量靠近輻電磁屏蔽射源，屏蔽磁場源時，屏蔽體盡量遠離磁場源。
電磁波的波阻抗定義為電場分量與磁場分量的比值：Zw=E/H.在距離輻射源較近(<λ/2π,稱為近場區(qū))時,波阻抗的值取決于輻射源的性質、觀測點到源的距離、介質特性等.若輻射源為大電流、低電壓(輻射源電路的阻抗較低),則產(chǎn)生的電磁波的波阻抗小于377,稱為低阻抗波,或磁場波.若輻射源為高電壓,小電流(輻射源電路的阻抗較高),則波阻抗大于377,稱為高阻抗波或電場波.關于近場區(qū)內波阻抗的具體計算公式本文不予論述,以免沖淡主題,感興趣的讀者可以參考有關電磁場方面的參考書.當距離輻射源較遠(>λ/2π,稱為遠場區(qū))時,波波阻抗僅與電場波傳播介質有關,其數(shù)值等于介質的電磁屏蔽特性阻抗,空氣為377Ω。
屏蔽材料的阻抗計算方法為:
從上面幾個公式,就可以計算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了,為了方便設計,下面給出一些定性的結論：timereleaseVitaminC，首先,需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒有關系.這與靜電場的屏蔽不同，在靜電中，只要將屏蔽體接地，就能夠有效地屏蔽靜電場，而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無關，這是必須明確的。
在近場區(qū)設計屏蔽時，要分別考慮電場波和磁場波的情況，式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗,是當電磁波入射到不同媒質的分界面時發(fā)生的，計算公式為:
屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量.屏蔽效能是沒有屏蔽時空間某個位置的場強E1與有屏蔽時該位置的場強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至百萬分之一,因此通常用分貝來表述屏蔽效能,這時屏蔽效能的定義公式為:
電磁屏蔽的關鍵點有兩個，一個是保證屏蔽體的導電連續(xù)性,即整個屏蔽體必須是一個完整的、連續(xù)的導電體.另一點是不能有穿過機箱的導體，對于一個實際的機箱，這兩點實現(xiàn)起來都非常困難。
若ZC>(7.9/D·f)：式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗，是電磁波在屏蔽材料中傳播時發(fā)生的，計算公式為：
有一種情況需要特別注意，這就是1kHz以下的磁場波.這種磁場波一般由大電流輻射源產(chǎn)生，例如，傳輸大電流的電力線，大功率的變壓器等，對于這種頻率很低的磁場，只能采用高導磁率的材料進行屏蔽，常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金。
若Zc<(7.9/D·f):
選擇屏蔽材料公式：
A=3.34t(fμrσr)(dB)
|ZS|=3.68*10-7(fμr/σr)(Ω)
t=材料的厚度，μr=材料的磁導率，σr=材料的電導率，對于特定的材料，這些都是已知的，f=被屏蔽電磁波的頻率。
首先，一個實用的機箱上會有很多孔洞和孔縫：通風口、顯示口、安裝各種調節(jié)桿的開口、不同部分結合的縫隙等.屏蔽設計的主要內容就是如何妥善處理這些孔縫，同時不會影響機箱的其他性能(美觀、可維性、可靠性)。
f=入射電磁波的頻率(Hz)，μr=相對磁導率，σr=相對電導率
孔洞和縫隙的電磁泄漏與對策
當電磁波入射到一個孔洞時，其作用相當于一個偶極天線，當孔洞的長度達到λ/2時，其輻射效率最高(與孔洞的寬度無關)，也就是說，它可以將激勵孔洞的全部能量輻射出去。